Samsung a dezvoltat primul prototip de memorie V-NAND cu 900 de straturi din lume, într-un moment în care competiția din industria memoriilor flash devine tot mai intensă. Prin această realizare, compania sud-coreeană încearcă să își consolideze poziția în fața rivalilor SK Hynix și YMTC din China.
Potrivit unei informații publicate de presa locală de specialitate, noul cip reprezintă un pas important în cursa pentru creșterea densității de stocare și reducerea consumului energetic în centrele de date și aplicațiile de inteligență artificială.
Noua tehnologie folosește două structuri de câte 450 de straturi
Conform raportului, Samsung utilizează o tehnologie denumită Cell Multi-Bonding (CMB). Aceasta permite combinarea a două wafer-uri cu câte 450 de straturi într-un singur cip.
Prin suprapunerea unui număr tot mai mare de straturi NAND, producătorii pot obține capacități mai mari de stocare într-un spațiu redus și pot diminua consumul de energie. Aceste avantaje sunt considerate esențiale pentru infrastructura AI modernă, unde volumele de date cresc accelerat.
Samsung încearcă să își păstreze avantajul tehnologic
În prezent, SK Hynix este considerat unul dintre liderii segmentului NAND cu densitate ridicată, compania având deja cipuri NAND cu 321 de straturi. Samsung pregătește însă producția de masă pentru generația a zecea de memorii NAND cu peste 400 de straturi și, în paralel, lucrează la tehnologia de 900 de straturi aflată încă în faza de cercetare.
Samsung a fost prima companie care a comercializat memorii 3D V-NAND în anul 2013, însă creșterea numărului de straturi a adus și dificultăți tehnice importante.
Problemele de fabricație au necesitat soluții noi
Pe măsură ce structurile NAND au devenit tot mai înalte, compania s-a confruntat cu probleme precum deformarea wafer-urilor și erori de aliniere între straturi.
Potrivit informațiilor apărute, Samsung ar fi rezolvat aceste dificultăți prin utilizarea unui design avansat Upper Chuck și a unei tehnologii Overlay Correction pentru corectarea alinierii.
Compania ar fi optimizat și structurile Bitline și Wordline, ceea ce a permis reducerea dimensiunii cipului și a consumului energetic.
Competitorii chinezi reduc rapid diferența
Presiunea competitivă vine în special din partea companiei chineze Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Producătorul a început deja fabricarea în masă a memoriilor NAND cu 294 de straturi, susținut de investiții consistente ale statului chinez și de extinderea producției locale de echipamente pentru semiconductori.
În acest context, Samsung pare să accelereze dezvoltarea tehnologiilor NAND de generație viitoare pentru a-și menține avantajul pe termen lung într-o industrie în care cererea pentru soluții de stocare dedicate inteligenței artificiale continuă să crească rapid.
About the Author
