Samsung își pregătește următoarea etapă de miniaturizare a procesoarelor. Compania ar putea introduce tehnologia High-NA EUV pentru procesul de fabricație de 1 nm, programat pentru producția de masă în jurul anului 2030.
Decizia ar marca o etapă importantă pentru divizia de foundry a Samsung. Compania a instalat deja două sisteme High-NA EUV la centrul său din Hwaseong.
High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) este o nouă generație de tehnologie de litografie pentru fabricarea microcipurilor. Aceasta folosește lumină ultravioletă extremă cu o deschidere numerică de 0,55 (față de 0,33 la generația anterioară). Astfel, permite trasarea unor linii mult mai fine și crearea de cipuri avansate pentru inteligență artificială.
High-NA EUV ar putea deveni necesară la 1 nm
Samsung a analizat utilizarea noii generații EUV pentru procesele de 2 nm și 1,4 nm. Totuși, compania consideră că tehnologia mai are nevoie de îmbunătățiri înainte de o implementare extinsă.
ChangMin Park, expert senior în tehnologie la Samsung Electronics, a explicat situația. Potrivit acestuia, High-NA EUV ar putea deveni necesară începând cu procesul A10 și versiunile ulterioare.
Samsung a început deja producția comercială pe procesul de 2 nm. Compania pregătește apoi procesul SF1.4, cu producție de masă programată pentru 2029.
SF1.4+ și procesul de 1 nm ar urma să intre în producție în 2030.
O tehnologie cu rezoluție mai mare
High-NA EUV crește apertura numerică de la 0,33 la 0,55. Această schimbare permite obținerea unei rezoluții mai bune în procesul de litografiere.
Tehnologia ar putea elimina nevoia unor etape multiple de patterning EUV pentru anumite structuri. În schimb, producătorii ar putea utiliza o singură etapă de patterning.
Avantajele pot include costuri mai mici și o flexibilitate mai mare pentru proiectarea circuitelor. Totuși, implementarea acestei noi generații rămâne dificilă și costisitoare.
Există încă probleme legate de măști și pelicule de protecție. Din acest motiv, EUV convențional cu multi-patterning și High-NA EUV ar putea coexista.
Samsung a investit deja în echipamente
Samsung a instalat primul sistem High-NA EUV la centrul din Hwaseong în 2025. Un al doilea echipament a fost adăugat în prima jumătate a anului 2026.
Investițiile totale sunt estimate la peste 1.000 de miliarde de woni. Implementarea comercială la scară largă nu a fost însă confirmată.
Un raport anterior al publicației Chosun Ilbo sugera că Samsung amână această etapă. Costurile ridicate reprezintă una dintre principalele probleme.
Samsung încearcă în același timp să-și redreseze afacerea de producție de cipuri pentru clienți externi.
Compania își extinde și utilizarea tehnologiei Atomic Layer Etching (ALE). Metoda permite un control mai precis asupra structurilor extrem de mici.
Intel a folosit deja High-NA EUV
Samsung nu este singurul producător care investește în această tehnologie. Intel a făcut deja un pas important în această direcție.
Compania utilizează High-NA EUV pentru anumite straturi ale procesoarelor Panther Lake. Cipurile sunt fabricate pe procesul Intel 18A.
ASML a indicat că aceasta reprezintă prima utilizare a High-NA EUV pentru dispozitive logice produse în serie.
TSMC adoptă o abordare mai prudentă
TSMC a cumpărat deja echipamente High-NA EUV și desfășoară activități de cercetare. Compania nu consideră însă că tehnologia este necesară pentru toate procesele viitoare.
Procesele A13 și A12 sunt programate pentru 2029. Acestea nu ar urma să necesite nou generație EUV, potrivit declarațiilor anterioare ale conducerii TSMC.
Strategia arată că marii producători analizează diferit momentul potrivit pentru adoptarea noii tehnologii.
SK hynix pregătește noua generație EUV pentru memorii
Și SK hynix explorează utilizarea High-NA EUV pentru următoarele generații de memorii DRAM.
Compania a introdus un astfel de sistem destinat producției de masă în a doua jumătate a anului 2025. Cercetarea și dezvoltarea cu acest echipament au început în 2026.
SK hynix compară două abordări. Prima utilizează EUV convențional cu mai multe etape de patterning. A doua se bazează pe High-NA EUV cu o singură etapă.
Compania analizează și utilizarea măștilor de tip Phase Shift Mask (PSM). Acestea pot îmbunătăți contrastul și rezoluția în procesul de litografiere.
Pentru Samsung, High-NA EUV ar putea deveni astfel o componentă importantă a strategiei de producție pentru 1 nm. Totuși, costurile și maturitatea tehnologiei vor determina momentul adoptării la scară largă.
About the Author
