Terafab își extinde planurile: caută specialist în memorii DRAM

Proiectul Terafab, dezvoltat de Tesla și SpaceX, pare să își extindă obiectivele dincolo de producția de procesoare. O nouă ofertă de angajare arată că inițiativa urmărește și dezvoltarea tehnologiilor de memorie DRAM, un segment dominat în prezent de Samsung, SK hynix și Micron.

Un nou pas pentru proiectul Terafab

Tesla a publicat un anunț pentru recrutarea unui Memory Process Integration Engineer, specialist care va lucra la integrarea proceselor de fabricație pentru memorii DRAM și alte tehnologii de memorie de ultimă generație.

Tesla is posting job openings for memory process engineers for its Terafab.@GavinSBaker said that Elon is currently prioritizing DRAM above all else for the Terafab. https://t.co/ZY4NxQLhxC pic.twitter.com/eiZCDGI1RY

— Jukan (@jukan05) August 6, 2026

Postul sugerează că Terafab nu se va limita la producția de cipuri pentru inteligență artificială, ci intenționează să dezvolte și componente esențiale pentru acestea.

Un proiect susținut de Tesla, SpaceX și Intel

Terafab este o inițiativă comună a Tesla și SpaceX, care beneficiază și de sprijin tehnologic din partea Intel.

Proiectul are ca obiectiv dezvoltarea unei platforme integrate pentru producția de semiconductori. Planul vizează o capacitate anuală de calcul pentru inteligență artificială de până la 1 terawatt.

În această etapă, investiția anunțată se ridică la 16,8 miliarde de dolari (aproximativ 14,4 miliarde de euro) pentru construirea unui complex de producție în Grimes County, statul Texas. Pe termen lung, facilitatea ar urma să ocupe o suprafață de aproximativ 9,3 milioane de metri pătrați.

Obiectivul este integrarea întregului proces de fabricație

Terafab urmărește să reunească într-o singură locație toate etapele importante ale producției de cipuri.

Printre acestea se numără realizarea măștilor de litografie, fabricarea cipurilor, ambalarea avansată a componentelor și testarea produselor finale.

Potrivit planurilor proiectului, această abordare ar putea reduce ciclul de dezvoltare al unui cip de la șase-nouă luni la doar câteva săptămâni.

Terafab analizează și tehnologii de memorie viitoare

Responsabilitățile noului specialist includ dezvoltarea fluxurilor de integrare pentru celulele DRAM, optimizarea densității și eficienței memoriei, precum și colaborarea cu echipele de proiectare a circuitelor.

Anunțul menționează și cercetarea unor tehnologii emergente, precum MRAM, RRAM și 3D DRAM, care ar putea face parte din strategia viitoare a Terafab.

Un posibil nou concurent pentru oligopolul Samsung, SK Hynix și Micron

Recrutarea unui specialist dedicat memoriilor indică faptul că proiectul ia în calcul extinderea în sectorul DRAM.

Dacă aceste planuri vor fi puse în practică, Terafab ar putea deveni, în timp, un nou concurent pentru Samsung, SK hynix și Micron, companii care domină în prezent piața globală a memoriilor DRAM.