CXMT pregătește memorii DDR5 bazate pe o nouă tehnologie

Producătorul chinez de memorii CXMT se pregătește să lanseze până la sfârșitul acestui an primul său produs DRAM bazat pe arhitectura 4F². Este vorba despre un modul DDR5 RDIMM destinat serverelor, care ar urma să folosească tranzistori verticali pentru a reduce suprafața ocupată de fiecare celulă de memorie.

Anunțul a fost făcut de Cao Kanyu, președintele companiei, la Conferința Integrated Chips and Chiplets, potrivit publicației chineze Yicai. Deocamdată, CXMT nu a dezvăluit frecvențele, capacitatea sau densitatea noilor module. Nici detaliile privind producția și clienții vizați nu sunt cunoscute.

Tranzistori verticali pentru memorii mai compacte

Arhitectura 4F² urmărește să reducă spațiul necesar unei celule DRAM în comparație cu designul tradițional 6F². La aceeași dimensiune a caracteristicilor tehnologice, suprafața teoretică a celulei ajunge la aproximativ două treimi din cea a variantei clasice, ceea ce înseamnă o reducere de circa o treime.

Pentru a obține acest rezultat, CXMT folosește tehnologia Vertical Surrounded Gate (VSG). Tranzistorul este orientat vertical, iar poarta de comandă îl înconjoară. Configurația permite un control mai bun al canalului și limitează scurgerile de curent, în timp ce ocupă mai puțin spațiu pe suprafața cipului.

Compania lucrează de mai mulți ani la această soluție și a publicat cercetări în 2021, 2023 și 2025. Un exemplu experimental de memorie cu o capacitate de 8 Gb și o matrice completă a fost prezentat la conferința IEDM din 2023. Cao a mai precizat că CXMT are peste 300 de familii de brevete publicate asociate tehnologiei 4F2.

Un alt element important este integrarea prin lipire hibridă la nivel de plachetă. Această metodă permite optimizarea separată a matricei de memorie și a circuitelor logice, care pot fi apoi conectate într-o structură tridimensională. CXMT susține că lucrează la astfel de soluții din 2019.

Samsung și SK hynix au proiecte similare

CXMT nu este singurul producător care încearcă să treacă la celule DRAM mai compacte. Samsung a prezentat în februarie 2026, în cadrul conferinței ISSCC, un design 4F² de 16 Gb, realizat cu tranzistori verticali. Matricea de memorie este conectată deasupra circuitelor periferice prin lipire hibridă cu cupru, de la plachetă la plachetă.

Potrivit Samsung, această abordare poate crește cu peste 20% numărul de cipuri obținute dintr-o plachetă, fără modificarea regulilor de proiectare. Totuși, calendarul comercializării rămâne neclar. Primele informații indicau producția de masă în 2028, însă relatări ulterioare din presa sud-coreeană au pus sub semnul întrebării acest termen.

SK hynix a prezentat, la rândul său, planuri pentru o platformă 4F² cu tranzistori verticali și pentru memorii DRAM tridimensionale, cu circuitele poziționate sub matricea de celule. În cazul Micron, informațiile publice despre un calendar similar sunt mult mai limitate.

CXMT își consolidează poziția pe piața DRAM

Anunțul vine într-o perioadă în care producătorul chinez câștigă teren pe piața globală. Platforma sa tehnologică G5 DRAM, prezentată pe 20 septembrie, a ajuns în producție de masă.

Potrivit estimărilor TrendForce, CXMT a obținut 9,5% din veniturile globale generate de memoria DRAM în al doilea trimestru, față de 7,6% în primele trei luni ale anului. Rezultatul a plasat compania pe locul al patrulea la nivel mondial.

În noiembrie anul trecut, CXMT a prezentat memorii DDR5-8000 și LPDDR5X-10667, semn că ambițiile sale depășesc segmentele de bază ale pieței.

Cu toate acestea, anunțul despre noul modul 4F² trebuie privit cu prudență. CXMT nu a publicat încă specificații complete și nici rezultate independente de testare. Nu există informații confirmate despre capacitate, viteze, nodul de fabricație sau volumele planificate.

Deocamdată, compania a anunțat o țintă de lansare și a descris tehnologia pe care intenționează să o folosească. Dacă produsul va ajunge pe piață până la sfârșitul anului, va fi un pas important pentru CXMT, dar performanța și avantajele sale reale vor putea fi evaluate abia după apariția unor specificații complete și a testelor independente.

Informațiile din Coreea de Sud indică faptul că primele produse ale CXMT ar putea utiliza doar parțial arhitectura 4F² și că fabricarea unor unități stabile la scară largă reprezintă o provocare aparte. Având în vedere că mai sunt aproximativ 11 săptămâni până la sfârșitul anului, va fi interesant de urmărit ce va livra CXMT.